Các sản phẩm pin mặt trời loại N có lợi thế rõ ràng so với mô-đun loại P.

Nhờ khả năng suy giảm điện năng thấp hơn, tỷ lệ hai chiều cao hơn, nhiệt độ hoạt động thấp hơn và hiệu suất tốt hơn ở độ bức xạ thấp, các mô-đun Loại N có thể tạo ra nhiều điện năng hơn 5% so với các mô-đun loại P ở cùng công suất lắp đặt.

Vì mô-đun N-Type TOPCon có thể cải thiện hiệu suất phát điện khoảng 1% so với mô-đun PERC truyền thống, nó sẽ đạt được công suất lắp đặt cao hơn trong cùng một khu vực lắp đặt, tiết kiệm chi phí BOS của hệ thống và cải thiện tỷ lệ hoàn vốn của điện năng ga tàu. Ví dụ: đối với dự án ở Golmud, Thanh Hải, Trung Quốc, nếu giá của mô-đun Loại N là 0,10 RMB/W, thì việc sử dụng mô-đun Loại N của DAS Solar có thể giảm 2% LCOE (Chi phí năng lượng theo mức) và tăng IRR (Tỷ lệ hoàn vốn nội bộ) của nhà máy điện lên hơn 0,5% so với mô-đun P-Type.

Hiệu suất của mô-đun N-Type ở bức xạ thấp

Các mô-đun loại N và loại P có cùng kích thước có thể tạo ra công suất lần lượt là 560 W và 540 W ở mặt trước với bức xạ 1000 W/㎡. Ở mức bức xạ 200 W/㎡, hiệu suất của các mô-đun Loại N và Loại P ở mức bức xạ thấp lần lượt được gọi là 98,5% và 97%. Qua tính toán, chúng ta sẽ có công suất mặt trước của mô-đun Loại N và Loại P: 560**98,5% = 110,32W, 540**97% = 104,76W. Với phương trình (110,32-104,76) ÷104,76×100% = 5,3%, chúng ta biết rằng mức tăng năng lượng của mô-đun Loại N cao hơn khoảng 5,3% so với mô-đun Loại P ở bức xạ 200 W/㎡ .

Hiệu quả cao của mô-đun N-Type

Pin mặt trời là thành phần cốt lõi của hệ thống phát điện PV. Giới hạn hiệu suất lý thuyết của tế bào TOPCon loại N và tế bào PERC lần lượt là 28,7% và 24,5%. Trong các điều kiện thử nghiệm tiêu chuẩn: bức xạ 1000 W/㎡, nhiệt độ tế bào 25℃ và phổ AM 1,5. Ở mức độ công nghiệp hóa hiện nay, hiệu suất chuyển đổi của tế bào loại N đạt 24,8% và mô-đun được đóng gói có xếp hạng hiệu suất hơn 22%, dẫn đến công suất mô-đun hơn 575 watt. Nhờ hiệu suất chuyển đổi 23,5% và hiệu suất mô-đun được đóng gói lớn hơn 21%, tế bào loại P có thể đạt được công suất mô-đun khoảng 550 watt. Dữ liệu cho thấy rằng công suất của mô-đun loại N duy nhất lớn hơn 25 watt so với công suất của mô-đun loại P. Về phát điện.

Hệ số nhiệt độ của mô-đun N-Type

Công suất định mức của mô-đun thu được trong các điều kiện thử nghiệm tiêu chuẩn. Trong điều kiện tiêu chuẩn, nhiệt độ tế bào là 25°C. Tuy nhiên, khi mô-đun hoạt động ngoài trời, nhiệt độ của mô-đun tế bào sẽ cao hơn nhiều so với 25°C. Trong điều kiện làm việc danh nghĩa gần với điều kiện thực tế hơn, nhiệt độ tế bào có thể đạt tới 42℃. Hệ số nhiệt độ của mô-đun loại N và loại P lần lượt là -0,30%/℃ và -0,35%/℃. Chênh lệch nhiệt độ của mô-đun tế bào giữa điều kiện danh nghĩa và điều kiện làm việc ngoài trời thực tế có thể lên tới 17℃. Qua tính toán, tổn thất phát điện của mô-đun loại N và loại P như sau: 17℃*0,30%/℃ = 5,1% và 17℃*0,35%/℃ = 5,95%. Như vậy, chúng ta biết rằng 5,95% – 5,1% = 0,85%. Trong các điều kiện danh nghĩa, mức tăng năng lượng của mô-đun Loại N xấp xỉ bằng 0.

Mô-đun N-Type là gì?

Sự khác biệt chính giữa các tấm wafer đơn tinh thể loại N và loại P như sau:

① Chúng được trộn với các nguyên tố khác nhau: Phốt pho cho Loại N và boron cho Loại P.

② Dẫn điện: Dẫn điện tử cho Loại N và dẫn lỗ cho Loại P.

Tế bào N-Type TOPCon là gì?

Cấu trúc của tế bào PERC: Màng thụ động/chống phản xạ – Bộ phát loại N – Chất nền wafer loại P – lớp thụ động phía sau – màng chống phản xạ

Cấu trúc của tế bào TOPCon loại N: Màng thụ động/chống phản chiếu – lớp thụ động – Bộ phát loại P – Chất nền wafer loại N – lớp đường hầm siêu mỏng – Màng mỏng polysilicon loại N – màng chống phản xạ

Sự khác biệt chính giữa tế bào TOPCon loại N và tế bào PERC: wafer silicon loại N + lớp đường hầm siêu mỏng

Dây chuyền sản xuất tế bào N-Type TOPCon tương thích cao với tế bào PERC. So với tế bào PERC, một bộ thiết bị bổ sung được cung cấp cho dây chuyền sản xuất tế bào TOPCon chính hiện tại để sản xuất lớp đường hầm siêu mỏng và màng mỏng polysilicon loại N. Công nghệ tế bào N-Type TOPCon đã được chứng minh có chi phí đầu tư thấp hơn so với các công nghệ tế bào N-Type khác.

Bảo Hành Điện

Độ tin cậy phát điện của các sản phẩm và công nghệ DAS Solar được đề cập trong Bách khoa toàn thư về PV. Hôm nay chúng ta sẽ nói về bảo hành suy giảm công suất của mô-đun N-Type. Đối với các mô-đun Loại N và Loại P có cùng kích thước trong các điều kiện giống hệt nhau, Loại N có tỷ lệ suy giảm là 1% trong năm đầu tiên và 0,4% mỗi năm tiếp theo. Đối với mô-đun P-Type, tỷ lệ suy giảm là 2% trong năm đầu tiên và 0,45% mỗi năm sau đó. Theo tính toán, vào năm thứ ba mươi, hai mặt của mô-đun Loại N và Loại P có thể tạo ra công suất lần lượt là 87,4% và 84,95%. Theo kết quả tính toán thêm, trong cùng điều kiện ánh sáng, mức tăng năng lượng của mô-đun Loại N cao hơn khoảng 1,73% so với mô-đun Loại P trong chu kỳ phát điện.

Độ lợi mặt sau của mô-đun kính kép

Tỷ lệ hai chiều là công suất mặt sau của mô-đun chia cho công suất mặt trước. Các mô-đun Loại N và Loại P có cùng kích thước có thể tạo ra công suất lần lượt là 560 W và 540 W ở mặt trước, với cùng mức bức xạ 1000 W/㎡. Đối với công suất mặt sau, ở cùng mức bức xạ 300 W/m2, công suất mặt sau được tính toán của các mô-đun loại N và loại P lần lượt là 52,08 và 40,75 watt. Do đó, chúng ta có thể thu được mức tăng năng lượng mặt sau của các mô-đun Loại N và Loại P, tương ứng là 9,3% và 7,5%. Xin lưu ý rằng kết quả tính toán cuối cùng cho thấy mức tăng năng lượng ở mặt sau của mô-đun Loại N cao hơn khoảng 24% so với mức tăng của mô-đun Loại P ở cùng bức xạ.

Rate this post

Trả lời

Email của bạn sẽ không được hiển thị công khai. Các trường bắt buộc được đánh dấu *

  • Liên Hệ 0973.356.328