Kể từ năm ngoái, các tế bào năng lượng mặt trời TOPCon đã trải qua sự gia tăng mạnh mẽ về thương mại hóa. Hiệu quả cuối cùng của TOPCon là gần 28,7%, cao hơn nhiều so với 24% của PERC và 27,5% của HJT. Hiệu suất sản xuất hàng loạt trung bình là 25% trở lên đã được thực hiện bằng các kỹ thuật quy mô sản xuất, tương đối lớn hơn hiệu suất của pin mặt trời PERC.
Ngoài hiệu quả cao hơn đặc biệt, các yếu tố cần thiết khác thúc đẩy quá trình thay thế pin mặt trời TOPCon loại p bằng pin mặt trời TOPCon loại n là sự mất mát do tái kết hợp do LID và LeTID. Sự phát triển về hiệu quả và giảm thiểu sự xuống cấp của pin mặt trời TOPCon giải thích cho các loại pin mặt trời cấp độ đặc biệt có thể được chế tạo trong các giai đoạn sản xuất cực kỳ cận biên.
Tế bào TOPCon sử dụng kỹ thuật tiếp xúc thụ động tiên tiến và hiệu quả cao, lớp oxit đường hầm vi nano và cấu trúc chức năng được chế tạo từ màng silicon vi tinh thể nhiều lớp và lựa chọn chất mang. Tính dẫn điện và hiệu suất thụ động của cấu trúc và chế tạo xuất sắc này cho thấy những cải tiến vượt trội, dẫn đến tăng đáng kể sản lượng điện, hiệu suất chuyển đổi tế bào và loại bỏ sự xuống cấp, đặc biệt là LID xuống cấp do ánh sáng gây ra.
Nghiên cứu về LID/LeTID còn sớm, nghiên cứu đã đầy đủ và nguyên nhân của sự xuống cấp cũng đã được công nhận rõ ràng, bao gồm các khuyết tật oxy boron và sự xuống cấp liên quan đến phức hợp hydro. Khác với các tấm bán dẫn pha tạp boron hoặc gali thường được sử dụng trong các tế bào PERC, pin mặt trời tiếp xúc thụ động với oxit đường hầm (TOPCon) sử dụng các tấm bán dẫn silicon loại n pha tạp photpho sẽ không bị ảnh hưởng bởi BO-LID.
Đối với các tế bào PERC đang sử dụng tấm bán dẫn silicon loại p, thì các khuyết tật boron–oxy (BO) liên quan đến tạp chất boron hoặc các khuyết tật liên quan đến phức hợp BH/Ga-H sẽ dẫn đến sự xuống cấp nghiêm trọng do ánh sáng (LID) và ánh sáng và độ sáng suy thoái do nhiệt độ gây ra. Các tấm wafer loại n pha tạp phốt pho được sử dụng trong các tế bào TOPCon về cơ bản tránh được LID/LeTID.
Về mặt lý thuyết, so với loại p pha tạp boron hoặc pha tạp gali, khả năng thoái hóa LID và LeTID bị loại bỏ bởi silicon tinh thể loại n trong tế bào TOPCon.
